電子元器件高溫高濕儲(chǔ)存測(cè)試方法：

目的:

測(cè)試高溫高濕儲(chǔ)存環(huán)境對(duì)元器件的結(jié)構(gòu), 整機(jī)電氣的影響, 以考量結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及零件選用的合理性.

測(cè)試條件:

儲(chǔ)存高溫高濕條件: 通常為溫度70±2℃, 濕度90-95% 試驗(yàn)時(shí)間24Hrs(非操作條件).

測(cè)試方法:

(1). 試驗(yàn)前記錄待測(cè)品輸入功率, 輸出電壓及HI-POT 狀況;

(2). 將確認(rèn)后的待測(cè)品置入恒溫恒濕機(jī)內(nèi), 依規(guī)格設(shè)定其溫度和濕度,然后啟動(dòng)溫控室;

(3). 試驗(yàn)24Hrs, 試驗(yàn)結(jié)束后在空氣中放置至少4Hrs,再確認(rèn)待測(cè)品外觀(guān), 結(jié)構(gòu)及電氣性能是否有異常.

注意事項(xiàng):

(1). 產(chǎn)品試驗(yàn)期間與試驗(yàn)后,產(chǎn)品性能不能出現(xiàn)降級(jí)與退化現(xiàn)象.

(2). 試驗(yàn)后產(chǎn)品的介電強(qiáng)度與絕緣電阻測(cè)試需符合規(guī)格書(shū)要求.

低溫操作測(cè)試

目的:

測(cè)試低溫環(huán)境對(duì)元器件操作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)及整機(jī)電氣的影響, 用以考量結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及零件選用的合理性.

測(cè)試方法:

(1). 將待測(cè)品置于溫控室內(nèi), 依規(guī)格設(shè)定好輸入輸出測(cè)試條件, 然后開(kāi)機(jī).

(2). 依規(guī)格設(shè)定好溫控室的溫度,然后啟動(dòng)溫控室.

(3). 定時(shí)記錄待測(cè)品輸入功率和輸出電壓,以及待測(cè)品是否有異常;

(4). 做完測(cè)試后將待測(cè)品從溫控室中移出, 在常溫環(huán)境下恢復(fù)至少4小時(shí),然后確認(rèn)其外觀(guān)和電氣性能有無(wú)異常.

注意事項(xiàng):

(1). 產(chǎn)品試驗(yàn)期間與試驗(yàn)后,產(chǎn)品性能不能出現(xiàn)降級(jí)與退化現(xiàn)象.

(2). 試驗(yàn)后產(chǎn)品的介電強(qiáng)度與絕緣電阻測(cè)試需符合規(guī)格書(shū)要求.

低溫儲(chǔ)存測(cè)試

目的:

測(cè)試低溫儲(chǔ)存環(huán)境對(duì)S.M.P.S. 的結(jié)構(gòu), 元件及整機(jī)電氣的影響, 用以考量S.M.P.S. 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及零件選用的合理性.

測(cè)試條件:

儲(chǔ)存低溫條件: 通常為溫度-30℃, 試驗(yàn)時(shí)間24Hrs(非操作條件).

測(cè)試方法:

(1). 試驗(yàn)前記錄待測(cè)品輸入功率, 輸出電壓及HI-POT 狀況.

(2). 將確認(rèn)后的待測(cè)品置入恒溫恒濕機(jī)內(nèi), 依規(guī)格設(shè)定其溫度,然后啟動(dòng)溫控室.

(3). 試驗(yàn)24Hrs, 試驗(yàn)結(jié)束后在空氣中放置至少4Hrs, 再將待測(cè)品做HI-POT 測(cè)試, 記錄測(cè)試結(jié)果, 之后確認(rèn)待測(cè)品的外觀(guān), 結(jié)構(gòu)及電氣性能是否有異常.

注意事項(xiàng):

(1). 產(chǎn)品試驗(yàn)期間與試驗(yàn)后,產(chǎn)品性能不能出現(xiàn)降級(jí)與退化現(xiàn)象.

(2). 試驗(yàn)后產(chǎn)品的介電強(qiáng)度與絕緣電阻測(cè)試需符合規(guī)格書(shū)要求.